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平成23年度 秋期 午前 問23

コンピュータ構成要素

LSIに関する問題

LSI の故障メカニズムの一つである ESD(Electrostatic Discharge)破壊の説明として,適切なものはどれか。

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✓ これが正解ウ静電気放電によって,半導体素子が破壊されてしまう現象

解説

静電気の放電で半導体素子が壊れる現象です。

この設問は、略語のもとの綴りを括弧の中に添えています。Electrostatic は静電気の、Discharge は放電という意味ですから、そのまま訳せば静電気放電になります。つまり呼び名そのものが、何を引き金とする壊れ方かを言い切っているわけです。人や道具にたまった電荷が、端子に触れた瞬間に一気に流れ込み、半導体素子の中の薄い膜や接合の部分を突き破ってしまいます。LSI を扱うときに基板を素手で触らないように言われるのはこのためで、作業台や手首を接地する、導電性の袋に入れて運ぶ、湿度を保つといった備えが取られます。四つの記述を読み分ける軸は二つです。一つは、引き金が何かという点です。電気的なものか、機械的なものか、それとも素子の内部に生じる働きかという違いがあります。もう一つは、壊れるのがどこかという点です。配線が切れるのか、素子そのものが壊れるのかで分かれます。この二つを当てはめれば、略語の訳と重なる記述は一つに絞り込めます。半導体の壊れ方にはほかにも名前の付いた型がいくつもありますが、いずれも引き金と壊れる場所の組合せで区別できるようになっています。

ほかの選択肢はなぜ違うのか

出典:平成23年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問23

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