平成25年度 春期 午前Ⅱ 問13
ハードウェア
TSVに関する問題
TSV(Through-Silicon Via)を用いた半導体チップの3次元実装技術の説明として,適切なものはどれか。
- ア積層した半導体チップ同士を貫通電極で接続する。
- イ積層した半導体チップ同士をボンディングワイヤで接続する。
- ウ絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基板とする。
- エチップと同程度のサイズでパッケージに封入する。
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✓ これが正解ア積層した半導体チップ同士を貫通電極で接続する。
解説
TSVは、積層したチップ同士をシリコンを貫く電極でつなぎます。
TSV(Through-Silicon Via)は、その名前のとおりシリコン基板を貫通する電極です。3次元実装では、複数の半導体チップを積み重ね、各チップに設けた貫通電極で上下のチップを直接つなぎます。チップの外周からワイヤを引き回す方式と比べて配線が短くなり、多くの信号線をつなげるので、高速化や小型化に役立つとされています。設問は TSV を用いた技術を問うているので、貫通電極で接続するという説明が当てはまります。Through(貫く)と Via(経由する穴)の語の意味から、チップを縦に貫いてつなぐ技術と結び付けると見分けられます。
ほかの選択肢はなぜ違うのか
- イ積層した半導体チップ同士をボンディングワ…:ボンディングワイヤは、チップの電極とパッケージの端子などを細い金属線で結ぶ方法です。積層したチップをワイヤでつなぐ実装もありますが、シリコンを貫く電極でつなぐ TSV とは別のやり方です。
- ウ絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基板と…:絶縁膜の上に形成した単結晶シリコンを基板に使うのは、トランジスタを作る基板の側の技術です。チップを積み重ねて上下を接続する実装の話ではなく、TSV の説明には当たりません。
- エチップと同程度のサイズでパッケージに封入…:チップとほぼ同じ大きさでパッケージに封入するのは、パッケージを小さくする方式の説明です。チップを積層して縦につなぐ3次元実装の技術とは別物です。
出典:平成25年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問13
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