平成29年度 春期 午前Ⅱ 問3
メモリ
フラッシュメモリに関する問題
SLC(Single-Level Cell)型と比較したとき,MLC(Multi-Level Cell)型のフラッシュメモリの優れている点はどれか。
- ア1セル当たりの書換え時間が短い。
- イ1セル当たりの記憶容量が大きい。
- ウ書換え可能回数が多い。
- エデータ保持期間が長い。
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✓ これが正解イ1セル当たりの記憶容量が大きい。
解説
MLC は1セルに複数ビットを記憶でき、記憶容量が大きくなります。
フラッシュメモリのセルは、蓄えた電荷の量でデータを表します。SLC は1セルの電荷を2段階に分けて1ビットを記憶し、MLC は電荷を4段階など細かく分けて1セルに2ビット以上を記憶します。このため、同じセル数でより多くのデータを記憶でき、1セル当たりの記憶容量が大きいことが MLC の優れている点です。その代わり、細かい電荷の差を読み分ける必要があるため、書込みに時間がかかり、書換え可能回数やデータ保持期間の面では SLC に劣るのが一般的です。容量では MLC、速さと耐久性では SLC、と組にして覚えると、比較の向きを取り違えません。
ほかの選択肢はなぜ違うのか
- ア1セル当たりの書換え時間が短い。:書換え時間は、電荷を少ない段階で区切る SLC のほうが短くなります。MLC は電荷の量を細かく合わせ込む必要があるので、1セルへの書込みに手間がかかり、この点では劣る側です。
- ウ書換え可能回数が多い。:書換え可能回数は SLC の長所として挙げられる性質です。MLC は電荷の段階どうしの差が小さいため、書換えでセルが劣化すると読み分けにくくなり、耐えられる回数は少なくなります。
- エデータ保持期間が長い。:データ保持期間も SLC の側が有利です。MLC では段階の間の余裕が小さく、時間とともに電荷が少し抜けただけで値を読み誤るおそれがあるため、保持期間は短くなりがちです。
出典:平成29年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問3
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