令和7年度 秋期 午前Ⅱ 問3

✓ これが正解エフラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く，書換え速度も高速にできる。

解説

FeRAMはフラッシュメモリより書換え回数が多く、高速に書き換えられます。

FeRAMは、強誘電体の分極の向きでデータを記憶する不揮発性メモリです。電源を切ってもデータが残り、書込みの前に消去の手順を必要としないことなどから、フラッシュメモリと比べて書換え可能回数が多く、書換えも高速に行えます。見分ける軸は、ほかの選択肢がどのメモリの特徴を述べているかです。メモリセルのトランジスタの数はSRAM、データ保持のためのリフレッシュはDRAM、ブロック単位の一括書換えはフラッシュメモリの特徴に当たります。各メモリの代表的な特徴を一つずつ組にしておくと、名前を入れ替えた説明に気づけます。

ほかの選択肢はなぜ違うのか

• ア1ビットのメモリセルは4個～6個のトラン…：1ビットのセルを4個～6個のトランジスタで組むのは、フリップフロップで記憶するSRAMの構成です。FeRAMは強誘電体のキャパシタを使うセル構造なので、この記述は当てはまりません。
• イデータ保持のためにリフレッシュが必要であ…：記憶内容を保つために定期的な書き直しが必要なのは、キャパシタの電荷で記憶するDRAMです。電荷は時間とともに抜けていきますが、不揮発性のFeRAMではこうした動作は必要ありません。
• ウバイト単位で書換えができず，ブロック単位…：バイト単位で書き換えられず、ブロック単位でまとめて消去してから書き換えるのは、フラッシュメモリの性質です。FeRAMはバイト単位で書き換えられるので、この記述とは逆です。